1. 物理性质

原子量：114.818；密度：7.31 g/cm³ （20℃）（0-100℃）；熔点：156.5985 ℃；沸点：2072 ℃

2. 规格

4N In，纯度99.99%以上，银、铝、砷、镉、铜、铁、镁、镍、铅、硫、硅、锡、铊、锌杂质总含量小于100ppm；

5N In，纯度99.999%以上，银、铝、砷、镉、铜、铁、镁、镍、铅、硫、硅、锡、铊、锌杂质总含量小于10ppm；

6N In，纯度99.9999%以上，镉、铜、铁、镁、铅、硫、硅、锡杂质总含量小于1ppm；

7N In，纯度99.99999%以上，银、镉、铜、铁、镁、镍、铅、锌杂质总含量小于0.1ppm。

3. 物理性状  

颗粒、块。

4. 用途：

主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、高纯合金、超低温冷却、晶体管基极以及锗、硅单晶的掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料等。

5. 包装

涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶真空封装。